东丽株式会社河井翔太获国家专利权
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龙图腾网获悉东丽株式会社申请的专利场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113272942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080008337.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置是由河井翔太;清水浩二;村濑清一郎设计研发完成，并于2020-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置在说明书摘要公布了：本发明的课题是提供能够用简便的工艺且以低成本制造并且在检查时容易区分布线与源·漏电极的场效应晶体管，主旨是场效应晶体管，其在基板上具备：源电极、漏电极及栅电极；与所述源电极及漏电极接触的半导体层；与所述源电极及漏电极中的各自电连接的布线；和使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层，其中，所述源电极与所述布线的连接部形成连续相，且所述漏电极与所述布线的连接部形成连续相，构成所述连续相的部分至少包含导电性成分和有机成分，所述布线在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值高于所述源电极及漏电极在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值。
本发明授权场效应晶体管、其制造方法及使用其的无线通信装置在权利要求书中公布了：1.场效应晶体管，其在基板上具备： 源电极、漏电极及栅电极； 与所述源电极及漏电极接触的半导体层； 与所述源电极及漏电极中的各自电连接的布线；和 使所述半导体层与所述栅电极绝缘的栅绝缘层， 其中，所述源电极与所述布线的连接部形成连续相，且所述漏电极与所述布线的连接部形成连续相， 构成所述连续相的部分至少包含导电性成分和有机成分， 所述布线在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值高于所述源电极及漏电极在波长600nm以上且900nm以下的区域中的光反射率的累计值。
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