清华大学王学雯获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113327840B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110445652.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法是由王学雯;刘锴设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了属于纳米材料制备技术领域的基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法。具体步骤为：利用激光直写辐照过渡金属硫属化合物薄膜，过渡金属硫属化合物薄膜材料被氧化，氧化区和非氧化区构成非氧化区‑氧化区异质结；然后通过气相沉积法样品进行全局加热，由于氧化区富含缺陷具有反应活性，导致反应过程选择性发生在氧化区，形成第三相区，非氧化区保持不变，得到非氧化区‑第三相区二维横向异质结。本发明激光辐照得到的氧化材料，富含缺陷并且具有高活性和选择性，使得在气相沉积过程中，生长反应仅选择性的发生在氧化区，未被激光辐照过的非氧化区保持不变，形成TMD‑TMD’二维横向异质结。
本发明授权基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于选择性反应在过渡金属硫属化合物基体上制备二维横向异质结的方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 1利用激光直写将过渡金属硫属化合物薄膜进行辐照，过渡金属硫属化合物薄膜材料被氧化，氧化区和非氧化区构成非氧化区-氧化区异质结；过渡金属硫属化合物薄膜制备在基体上； 2将步骤1得到的样品放入生长腔体中，以硒粉、碲粉或硫粉为前驱体，采用气相沉积法，进行硒化反应、碲化反应或者硫化反应；由于氧化区富含氧空位缺陷具有反应活性，导致硒化反应、碲化反应或硫化反应选择性发生在氧化区，形成第三相区，非氧化区保持不变，得到非氧化区-第三相区二维横向异质结。
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