三星电子株式会社李殷奎获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110333720.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法是由李殷奎;赵连柱;金尚元;卞卿溵;宋伣在;申铉振设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法在说明书摘要公布了：提供了通过使用X射线光电子能谱XPS来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
本发明授权用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过使用X射线光电子能谱XPS仪器来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法，所述方法包括： 使用所述X射线光电子能谱仪器，响应于向直接生长在所述硅衬底上的所述石墨烯层发射X射线辐射，从直接生长在所述硅衬底上的所述石墨烯层获得信号强度；以及 根据以下等式计算所述石墨烯层的所述厚度tG： 其中，， λEAL是有效衰减长度， α是所述X射线光电子能谱仪器的检测角度， Ico是从块型石墨烯发射的光电子束的信号强度， Isio是从块型硅发射的光电子束的信号强度， Ic是响应于所述石墨烯层通过所述X射线光电子能谱仪器接收X射线辐射而从所述石墨烯层发射并且由所述X射线光电子能谱仪器上的传感器检测到的光电子束的信号强度，以及 Isi是响应于所述硅衬底通过所述X射线光电子能谱仪器接收X射线辐射而从所述硅衬底发射并且由所述X射线光电子能谱仪器上的传感器检测到的光电子束的信号强度，其中 所述X射线光电子能谱仪器通过从所述硅衬底发射的所述光电子束的所述信号强度Isi和从所述石墨烯层发射的所述光电子束的所述信号强度Ic之间的线性关系获得R0。
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