株式会社迪思科铃木元获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110696837.4，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权芯片的制造方法是由铃木元;小川雄辉;田中圭设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供芯片的制造方法，在利用将通过激光束而形成的改质层作为分割起点的方法对晶片进行分割时，抑制该晶片在间隔道以外断开，并且抑制所得到的芯片的抗折强度的降低。在利用将通过激光束而形成的改质层作为分割起点的方法对晶片进行分割而形成芯片时，不将划分该芯片的边界的多条间隔道中所存在的功能层全部断开，而是仅将该功能层中的包含该多条间隔道的交叉点位置在内的大致十字形即，在俯视时，将沿特定的方向延伸的长方形和沿与该特定的方向垂直的方向延伸的长方形按照两个长方形的中心部重叠的方式配置而得的形状的区域断开。
本发明授权芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的制造方法，将晶片沿着多条间隔道进行分割而形成芯片，该晶片在基板的正面上形成有功能层，并且在由呈格子状排列的所述多条间隔道划分的多个区域中分别形成有器件，其中， 该芯片的制造方法包含如下的步骤： 功能层断开步骤，仅将形成于该晶片的正面侧的该功能层中的包含该多条间隔道的交叉点位置在内的大致十字形的区域断开； 改质层形成步骤，从该晶片的背面侧沿着该多条间隔道照射透过该晶片的该基板的波长的激光束，在该基板中形成改质层；以及 分割步骤，在该功能层断开步骤和该改质层形成步骤之后，对该晶片施加外力，沿着该多条间隔道将该晶片分割成各个芯片， 在所述多条间隔道中设置有用于评价器件的性能的测试元件组， 将该测试元件组形成于包含该多条间隔道的交叉点位置在内的大致十字形的区域，并通过该功能层断开步骤将该测试元件组去除。
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