台湾积体电路制造股份有限公司童思频获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110604661.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法是由童思频;陈浚凯;李资良;苏怡年设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法。在一个示例性方面，本公开涉及用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底并在衬底之上形成目标层。通过以下步骤来形成图案化层：沉积具有有机组分的第一层，该有机组分具有包括至少50原子百分比的碳的组分；沉积包括硅的第二层；以及在第二层上沉积光敏层。在一些实施方式中，第一层是通过ALD、CVD或PVD工艺来沉积的。
本发明授权包括含碳层的图案化材料和用于半导体器件制造的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于光刻图案化的方法，包括： 提供衬底； 在所述衬底之上形成目标层； 在所述目标层上形成掩模层，其中，所述掩模层包括第一电介质层、第二电介质层、以及位于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间的硬掩模层；以及 在所述掩模层上形成图案化层，其中，形成所述图案化层包括： 沉积具有组分的第一层，该组分包括至少50原子百分比的碳； 沉积包括硅的第二层； 在所述第二层上沉积光敏层； 图案化所述光敏层、所述第二层和所述第一层，以形成图案化的第一层和图案化的第二层；以及 修整所述图案化的第一层和所述图案化的第二层，以减少所述图案化的第一层和所述图案化的第二层的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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