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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种超薄超结IGBT器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111337346.7，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种超薄超结IGBT器件及制备方法是由吴玉舟;禹久赢设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄超结IGBT器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄超结IGBT器件及制备方法，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N型外延层；位于所述第二N型外延层中的MOS结构。根据本发明，减薄芯片厚度，降低器件正向导通压降和开关损耗，同时降低器件热阻，提升导通电流能力。

本发明授权一种超薄超结IGBT器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄超结IGBT器件的制备方法，该超薄超结IGBT器件包括：金属化集电极1； 位于所述金属化集电极1上的P型集电区2； 位于所述P型集电区2上方的N型FS层3； 位于所述N型FS层3上方的N型FS隔离层4； 位于所述N型FS隔离层4上方的第一N型外延层5及位于所述第一N型外延层5上方的第二N型外延层6；位于所述第二N型外延层中的MOS结构；所述第一N型外延层5中一相对的两侧通过深槽刻蚀回填工艺形成P柱101； 其特征在于，该制备方法包括以下步骤：S1、通过在衬底片形成第一N型外延层5，且在所述第一N型外延层5上采用反应离子刻蚀工艺形成深槽，并采用回填P型硅单晶形成P柱101； S2、位于所述第一N型外延层5上方形成第二N型外延层6，且在所述第二N型外延层6上通过反应离子刻蚀形成的沟槽7，进而位于所述沟槽7内通过干法氧化方式热生长的栅氧化层8，位于所述栅氧化层8内淀积重掺杂多晶硅并反刻形成多晶硅栅极9； S3、通过自对准工艺、采用离子注入和高温推阱形成P型体区10，位于P型体区10内设置通过光刻注入形成N型发射区11； S4、位于第二N型外延层6上方淀积的硼磷硅玻璃12，进行高温回流，且位于所述硼磷硅玻璃12上方的进行接触孔光刻，并刻蚀3000-5000A厚度的硅，并淀积上表面金属形成金属化发射极13； S5、将衬底翻转后进行减薄，研磨至P柱101底部后继续研磨数微米，进行第一次N型FS层3注入； S6、继续进行第二次N型FS隔离层4注入和杂质激活； S7、位于P型集电区2的一面上进行P型集电区2注入并退火； S8、位于P型集电区2的一面上金属层淀积，形成金属化集电极1。

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