日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111193584.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括基板和位于基板上方的线路层。该半导体封装结构还包括位于基板与线路层之间的粘着层，粘着层包括延伸到线路层的侧壁上的承载部。由于承载部的存在，承载部可以补偿线路层与粘着层之间过大段差，使得沉积的晶种层可以连续。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 基板； 线路层，位于所述基板上方； 粘着层，位于所述基板与所述线路层之间，所述粘着层包括延伸到所述线路层的侧壁上的延伸部； 贯通孔，穿过所述线路层和所述粘着层而电连接到所述基板，所述贯通孔包括金属主体和衬垫在所述金属主体外的晶种层， 其中，所述延伸部的顶部低于所述线路层的上表面且呈凸形，并且所述延伸部包括远离所述线路层外扩的曲面侧壁。
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