美光科技公司S·M·汉森获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器装置的混合例程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110942409.5，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权存储器装置的混合例程是由S·M·汉森;F·罗里;A·德亚历山德罗;J·L·内维尔;C·切拉福利设计研发完成，并于2021-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置的混合例程在说明书摘要公布了：本申请案涉及存储器装置的混合例程。各种应用可包含一种存储器装置，其设计成使用已修改屏蔽位线感测操作执行存储器单元串中的存储器单元的感测。所述已修改屏蔽位线感测操作包含在所述串经启用以耦合到对应于所述串的数据线的情况下对所述数据线预充电。所述已修改屏蔽位线感测操作可实施于所述存储器装置的混合初始化例程中。所述混合初始化例程可包含对应于所述存储器装置的数据线的全数据线配置的感测读取例程以及对应于其中在预充电期间启用选定串的所述数据线的屏蔽数据线配置的已修改感测读取例程。可将与所述已修改感测读取例程相关联的读取重试例程添加到所述混合初始化例程中。论述额外装置、系统和方法。
本发明授权存储器装置的混合例程在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列，其具有多个串和多个数据线，每一串包含多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元包含布置为存储元件的晶体管；以及 存储器控制器，其包含处理电路系统，所述处理电路系统包含一或多个处理器，所述存储器控制器配置成执行包括以下各项的操作： 在读取所述多个串中的串的存储器单元之前对所述多个数据线中的第一数据线预充电，所述串在所述存储器单元的所述读取期间选择性地耦合到所述第一数据线，其中在屏蔽位线SBL感测配置中所述第一数据线的相邻数据线在所述存储器单元的所述预充电和读取期间可操作地配置为所述第一数据线的屏蔽线；以及 将所述串耦合到所述第一数据线，使得在所述第一数据线的所述预充电期间启用所述串以通过所述多个串中的所述串将所述第一数据线电耦合到源极线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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