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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种全碳化硅双面散热模块的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010866651.4，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种全碳化硅双面散热模块的封装结构及其封装方法是由陈材;鄢义洋;黄志召;刘新民;康勇设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全碳化硅双面散热模块的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体模块的封装集成技术领域，公开了一种大功率全碳化硅模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：底层直接覆铜陶瓷DBC基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片MOSFET、驱动电阻、垫片、顶层DBC基板、连接端子。所述的封装结构主功率输入端子采用双端出线，功率引线存在电流流向相反的结构，利用互感抵消了部分功率回路上的寄生电感，并联芯片换流回路寄生电感更加均衡；上下面均可装配散热器，为功率芯片提供上下平行的两个散热路径，减小了芯片热阻；驱动回路采用Kelvin结构，减小了共源电感对驱动信号的影响，增强了驱动信号稳定性。所述的封装方法，为该封装结构提供了可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现。

本发明授权一种全碳化硅双面散热模块的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种全碳化硅双面散热的封装结构，其特征在于，包括底层DBC基板、碳化硅功率芯片、驱动电阻、垫片、顶层DBC基板、第一散热器和第二散热器、连接端子； 所述碳化硅功率芯片和驱动电阻直接贴装于所述底层DBC基板，所述垫片直接焊接于所述顶层DBC基板； 所述碳化硅功率芯片、驱动电阻和垫片均位于所述顶层DBC基板和底层DBC基板之间； 所述第一散热器和第二散热器分别装配于所述顶层DBC基板和底层DBC基板的外侧； 所述连接端子包括主功率输入端子、主功率输出AC端子10和驱动回路端子；所述主功率输入端子包括主功率DC+端子4和主功率DC-端子5，每个主功率输入端子采用双端出线以使功率引线存在电流流向相反的结构，双端出线包括两组功率出线端，分别为第一功率出线端和第二功率出线端，且所述两组功率出线端关于所述碳化硅功率芯片对称地设置，所述碳化硅功率芯片为并联的多个芯片，所述第一功率出线端到每个芯片的距离之和等于所述第二功率出线端到每个芯片的距离之和； 所述碳化硅功率芯片包括两组碳化硅MOSFET芯片构成半桥电路，各组碳化硅MOSFET芯片之间相互并联分别构成所述半桥电路的上桥臂和下桥臂； 所述驱动电阻包括上桥臂驱动电阻21和下桥臂驱动电阻19； 所述驱动回路端子包括上桥臂源极驱动端子1、下桥臂源极驱动端子8、上桥臂栅极驱动端子2和下桥臂栅极驱动端子7； 所述上桥臂的碳化硅MOSFET芯片的漏极与主功率DC+端子4电连接，所述上桥臂的碳化硅MOSFET芯片的源极通过上桥臂源极键合线22引出到底层DBC的相应铜块上，并与所述上桥臂源极驱动端子1相连；所述上桥臂的碳化硅MOSFET芯片的栅极通过上桥臂栅极键合线17连接到底层DBC的相应铜块上，并与所述上桥臂驱动电阻21相连，上桥臂的三颗碳化硅MOSFET芯片构成Kelvin连接； 所述下桥臂的碳化硅MOSFET芯片的漏极与主功率输出AC端子10电连接，所述下桥臂的碳化硅MOSFET芯片的源极通过下桥臂源极键合线20引出到底层DBC的相应铜块上，并与所述下桥臂源极驱动端子8相连，所述下桥臂源极驱动端子8与主功率DC-端子5电连接；所述下桥臂的碳化硅MOSFET芯片的栅极通过下桥臂栅极键合线18连接到底层DBC的相应铜块上，并与所述下桥臂驱动电阻19相连，下桥臂的三颗碳化硅MOSFET芯片构成Kelvin连接。

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