长江存储科技有限责任公司蒋小波获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D存储器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111355322.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权3D存储器件的制造方法是由蒋小波;王军峰;卢刚;罗杰;曾最新;刘立芃设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D存储器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种3D存储器件的制造方法，包括：形成第一阵列结构，所述第一阵列结构包括衬底、位于所述衬底上方的第一叠层结构、在所述第一阵列结构的核心区贯穿所述第一叠层结构的多个第一沟道孔以及在所述第一阵列结构的标记区延伸至所述第一叠层结构中的多个定位栓；在所述标记区刻蚀所述第一叠层结构以暴露所述多个定位栓；以所述标记区的多个定位栓为标记，在所述第一阵列结构上堆叠形成第二阵列结构，所述第二阵列结构包括位于所述第一叠层结构上方的第二叠层结构以及贯穿所述第二叠层结构的多个第二沟道孔。本发明提供的3D存储器件的制造方法，能够实现堆叠的3D存储器件中上下阵列结构的对准，以及上下阵列结构中对应的沟道孔的对准。
本发明授权3D存储器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器件的制造方法，包括： 形成第一阵列结构，所述第一阵列结构包括衬底、位于所述衬底上方的第一叠层结构、在所述第一阵列结构的核心区贯穿所述第一叠层结构的多个第一沟道孔以及在所述第一阵列结构的标记区形成的从所述第一叠层结构表面延伸至所述第一叠层结构中的多个定位栓； 在所述标记区刻蚀所述第一叠层结构以暴露所述多个定位栓； 以所述标记区的多个定位栓为标记，在所述第一阵列结构上堆叠形成第二阵列结构，所述第二阵列结构包括位于所述第一叠层结构上方的第二叠层结构；以及 以多个定位栓为标记，形成贯穿所述第二叠层结构的多个第二沟道孔。
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