中山大学刘川获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141817B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111228021.5，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法是由刘川;高立朝;黄凯荣;刘晨宁设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法，阵列通过近场光刻技术来产生超越光刻机光刻极限的图案，只用普通光刻即可实现亚微米级的导电沟道，由于沟道垂直于衬底，源漏极处在垂直的位置，所以在进一步缩小器件尺寸时，可忽略短沟道效应的影响，这对显示行业的而言无疑是有中大意义的，该垂直晶体管可用于驱动显示面板位线可直接在漏极之下，像素点可直连源极用于实现高分辨率的显示屏幕。本方案验证了垂直晶体管驱动忆阻器阵列的制备可行性，确保亚微米沟道的整齐排列，提高了小尺寸垂直晶体管的一致性。在存储器方面，忆阻器具有更简易的制作方法、更低的成本、更快的读取速度、更久的稳定性。
本发明授权一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直晶体管驱动忆阻器阵列，垂直晶体管衬底之上为漏极，漏极上为绝缘层，绝缘层之上为金属栅极，金属栅极上为一层薄的氧化铝与氧化物绝缘层，薄绝缘层与沟道中填充有机半导体材料，其特征在于，半导体层具有亚微米沟道的结构，忆阻器为两层金属与一层氧化物结构，其底电极为垂直晶体管的顶电极； 所述绝缘层为氧化绝缘层或聚合物绝缘层； 所述有机半导体材料包括并五苯、IGZO，垂直沟道贯穿整个栅极与栅极下的绝缘层；所述漏极包括ITO，所述栅极包括铝，衬底的材料包括硅、玻璃； 栅极金属铝开孔后，使用氧气等离子体轰击，产生包裹住栅极金属的氧化铝绝缘层； 所述顶电极材料包括银、金、铂、钛；氧化物绝缘层材料包括氧化铪、氧化镧、氧化钽。
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