上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利FinFET器件及其栅极结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446997.X，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权FinFET器件及其栅极结构的形成方法是由刘洋设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本FinFET器件及其栅极结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种FinFET器件的栅极结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有鳍片；依次形成牺牲层及停止层，牺牲层覆盖鳍片的外壁及衬底的表面，停止层覆盖牺牲层；形成虚拟栅极，虚拟栅极部分覆盖隔离层及衬底；蚀刻部分虚拟栅极以形成暴露衬底的深槽，于深槽内形成隔离墙，隔离墙截断虚拟栅极；去除虚拟栅极、停止层及牺牲层，以形成栅极结构。利用覆盖于鳍片上的牺牲层及停止层，可在蚀刻虚拟栅极以形成深槽时可以利用停止层确保深槽与鳍片的距离，从而使得于深槽中形成的隔离墙与鳍片保持合适的距离以具有类似自对准的效果，以防止隔离墙发生过度偏移，而且有利于提高后续制程的良率。
本发明授权FinFET器件及其栅极结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET器件的栅极结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有多个沿第一方向延伸并间隔排列的鳍片； 依次形成牺牲层及停止层，所述牺牲层覆盖所述鳍片的外壁及所述衬底的表面，所述停止层覆盖所述牺牲层，所述牺牲层及所述停止层沿第二方向的厚度之和大于或等于工艺允许的隔离墙与鳍片的最小间距； 形成至少两个虚拟栅极，所述虚拟栅极覆盖所述停止层及所述衬底，且所述虚拟栅极沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交； 蚀刻部分所述虚拟栅极、停止层及牺牲层以形成暴露所述衬底的深槽，并于所述深槽内形成隔离墙，所述隔离墙截断所述虚拟栅极；以及， 去除所述虚拟栅极、所述停止层及所述牺牲层，以形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍片。
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