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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010993249.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法是由李国兴;薛胜元;吴建良;叶德炜;陈怡君设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法，电阻晶体管逻辑电路包含氮化镓层；氮化铝镓阻障层位于该氮化镓层上；多条p型掺杂氮化镓覆盖层位于氮化铝镓阻障层上，高、低压元件区中部分p型掺杂氮化镓覆盖层使得其下方的氮化镓层变为栅极空乏区，电阻区中未被p型掺杂氮化镓覆盖层覆盖的氮化镓层作为二维电子气电阻器；多个第一栅极，其中每个形成在高压元件区中的一条p型掺杂氮化镓覆盖层上；多个第一源极与多个第一漏极，形成在高压元件区中的氮化镓层上；多个第二栅极，其中每个形成在低压元件区中的一条p型掺杂氮化镓覆盖层上；多个第二源极与多个第二漏极，形成在低压元件区中的该氮化镓层上。

本发明授权具有氮化镓结构的电阻器、电阻晶体管逻辑电路及其制法在权利要求书中公布了：1.一种具有氮化镓结构的电阻晶体管逻辑电路，其特征在于，包含： 氮化镓层，具有高压元件区、低压元件区以及电阻区； 氮化铝镓阻障层，位于该氮化镓层上； 多条p型掺杂氮化镓覆盖层，位于该氮化铝镓阻障层上，其中在该高压元件区与该低压元件区中部分的该些p型掺杂氮化镓覆盖层使得其下方的该氮化镓层变为栅极空乏区，该些p型掺杂氮化镓覆盖层在该电阻区中的该氮化镓层上错位排列且不直接连接任何互连结构或不施加电压，使得该电阻区中未被该些p型掺杂氮化镓覆盖层所覆盖的该氮化镓层形成绕线图案而作为二维电子气2DEG电阻器； 多个第一栅极，每个该第一栅极形成在该高压元件区中的一条该p型掺杂氮化镓覆盖层上； 多个第一源极与多个第一漏极，形成在该高压元件区中的该氮化镓层上，其中该些第一栅极、该些第一源极以及该些第一漏极构成高压高电子移动率晶体管； 多个第二栅极，每个该第二栅极形成在该低压元件区中的一条该p型掺杂氮化镓覆盖层上；以及 多个第二源极与多个第二漏极，形成在该低压元件区中的该氮化镓层上，其中该些第二栅极、该些第二源极以及该些第二漏极构成低压逻辑场效晶体管； 第三源极与第三漏极形成在该电阻区中的该二维电子气电阻器上，且其中一该低压逻辑场效晶体管通过该第三漏极与该二维电子气电阻器连接；以及 多层金属层位于该高压元件区中的该些高压高电子移动率晶体管上方，其中一第二金属层中部分的该些金属层构成了金属互连电阻器并通过导孔件、该些金属层中的一第一金属层、以及接触件连接至该高压高电子移动率晶体管。

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