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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利摄像装置和半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111423047.5，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权摄像装置和半导体装置是由胁山悟;清水完;林利彦;中村卓矢;城直树设计研发完成，并于2016-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本摄像装置和半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及摄像装置和半导体装置。摄像装置包括：第一基板，包括一个或多个像素；触点，被布置在第一基板上，并且包括面对第一基板的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一绝缘层，在第一基板上，并且包括在触点的第二表面上方的开口；至少一个凸块焊盘，包括：第一金属层，被布置在第一绝缘层的开口中，并且电连接至触点；和第二金属层，在第一金属层上，并且被布置在第一绝缘层的开口中；第二绝缘层，在第一绝缘层上，并且包括第二金属层上方的开口；第二基板，包括逻辑电路和至少一个电极；以及微凸块，将至少一个凸块焊盘电连接至至少一个电极，并且位于第二绝缘层的开口中。

本发明授权摄像装置和半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种摄像装置，包括： 第一基板，所述第一基板包括一个或多个像素； 触点，所述触点被布置在所述第一基板上，并且包括面对所述第一基板的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一基板上，并且包括在所述触点的所述第二表面上方的开口； 至少一个凸块焊盘，所述至少一个凸块焊盘包括： 第一金属层，所述第一金属层被布置在所述第一绝缘层的所述开口中，并且电连接至所述触点； 第二金属层，所述第二金属层在所述第一金属层上，并且被布置在所述第一绝缘层的所述开口中；和 第三金属层，所述第三金属层被布置在所述第一绝缘层的所述开口中，并且所述第一金属层在所述第三金属层上； 第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层上，并且包括所述第二金属层上方的开口； 第二基板，所述第二基板包括逻辑电路和至少一个电极；以及 微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电连接至所述至少一个电极，并且位于所述第二绝缘层的所述开口中， 其中，所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且 其中，所述微凸块包括Sn基焊料，并且所述第一金属层包括Co， 所述第二金属层对所述微凸块的扩散性高于所述第一金属层对所述微凸块的扩散性。

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