浙江森尼克半导体有限公司郑律获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江森尼克半导体有限公司申请的专利电流传感芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371325B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111662778.5，技术领域涉及：G01R15/20；该发明授权电流传感芯片是由郑律;陈占胜;夏凌辉;黄禾设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本电流传感芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电流传感芯片，包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；引线构架，用于在所述基板的第一表面和和第二表面的外侧引导电流以形成电流路径；磁场换能器，设置于所述基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，所述引线构架至少形成有用于部分的环绕所述磁场换能器的环绕部，所述环绕部被构造为具有一个敞口以使所述磁能换能器至少在预设方向上至少部分的露出所述环绕部；所述磁场换能器为至少由化合物半导体制成的集成电路器件。本申请的有益之处在于提供了一种基于结构和材料的改进从而改善了检测灵敏度的电流传感芯片。
本发明授权电流传感芯片在权利要求书中公布了：1.一种电流传感芯片，其特征在于： 所述电流传感芯片包括： 基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面； 引线构架，用于在所述基板的第一表面和和第二表面的外侧引导电流以形成电流路径； 磁场换能器，设置于所述基板的第一表面上或第一表面的一侧； 其中，所述引线构架至少形成有用于部分的环绕所述磁场换能器的环绕部，所述环绕部被构造为具有一个敞口以使所述磁场换能器至少在预设方向上至少部分的露出所述环绕部；所述磁场换能器为至少由化合物半导体制成的集成电路器件； 所述引线构架形成有两个分别对应所述磁场换能器的所述环绕部，两个所述环绕部的敞口被构造为向相异的方向设置； 第一方向、第二方向可采用以下方式构造：将第一类引线构架及磁场换能器投影至X-Y坐标系中，分别作可表示第一敞口、第二敞口的开口处的两个最远边界点，以经过两个最远边界点的连线段的中点与对应磁场换能器的中心点的基准线的方向表示敞口的方向， 敞口的方向所成夹角的取值范围为5度至85度。
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