南亚科技股份有限公司施江林获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110935615.3，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体元件及其制备方法是由施江林;陈志宏;章思尧设计研发完成，并于2021-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容接触点结构以及一着陆垫层。该电容接触点结构从该基底突伸。该着陆垫层覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。
本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一电容接触点结构，从该基底突伸；以及 一着陆垫层，覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部； 一位元线结构，位于该基底上以及位于该电容接触点结构旁边； 一隔离结构，位于该位元线结构与该电容接触点结构之间，该隔离结构包括一第一隔离层以及一第二隔离层，其中该第一隔离层包括一下部以及二侧部，该下部水平设置在基底上，该二侧部垂直连接到该下部的两端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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