长江存储科技有限责任公司梁瑶获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利3D存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111622741.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权3D存储器件及其制造方法是由梁瑶;马红霞;任爱;李劲昊设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本3D存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘叠层，绝缘叠层包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；去除多个牺牲层以形成牺牲缝隙；将多个层间绝缘层替换为多个绝缘应力层；在牺牲缝隙中形成栅极导体层，绝缘应力层的应力小于层间绝缘层的应力。本申请通过对层间绝缘层进行蒸汽退火处理以得到应力更小的绝缘应力层替换层间绝缘层，可以调整晶圆沿第一方向例如X方向的弯曲度，以使得3D存储器件在各阶段的中间器件的弯曲度不超过机台的极限值。
本发明授权3D存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种3D存储器件的制造方法，其中，包括： 在衬底上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层； 去除所述多个牺牲层以形成牺牲缝隙； 将所述多个层间绝缘层替换为多个绝缘应力层； 在所述牺牲缝隙中形成多个栅极导体层， 其中，绝缘应力层的应力小于层间绝缘层的应力，所述将所述多个层间绝缘层替换为多个绝缘应力层的步骤包括： 在所述牺牲缝隙中通入氢气和氧气并进行蒸汽退火处理，以使扩散至所述层间绝缘层中的离子与所述层间绝缘层中的悬挂键结合形成硅氧键或氢氧硅键。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励