联华电子股份有限公司杨柏宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体管芯以及半导体装置的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011398658.4，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权半导体管芯以及半导体装置的制作方法是由杨柏宇设计研发完成，并于2020-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体管芯以及半导体装置的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体管芯以及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置的制作方法包括下列步骤。对半导体晶片进行分离制作工艺以形成半导体管芯。分离制作工艺包括第一切割步骤、薄化步骤与第二切割步骤。第一切割步骤对半导体晶片进行蚀刻而于半导体晶片中形成多个第一开口。半导体晶片的一部分位于各第一开口与背表面之间且被薄化步骤移除。各第一开口于薄化步骤之后贯穿半导体晶片。第二切割步骤用以形成多个第二开口。各第二开口贯穿半导体晶片而将半导体管芯互相分离。半导体管芯包括相对的两个第一侧表面与相对的两个第二侧表面。各第一侧表面的粗糙度不同于各第二侧表面的粗糙度。
本发明授权半导体管芯以及半导体装置的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体管芯，其特征在于，包括： 两个第一侧表面彼此分离，其中该两个第一侧表面在第一方向上彼此相对； 两个第二侧表面彼此分离，其中该两个第二侧表面在第二方向上彼此相对，该第二方向垂直于该第一方向，且各该第一侧表面的粗糙度不同于各该第二侧表面的粗糙度；以及 多个角落侧表面，其中各该角落侧表面分别与该两个第一侧表面中的一个以及该两个第二侧表面中的一个直接相连，各该角落侧表面的粗糙度不同于各该第一侧表面的该粗糙度及各该第二侧表面的该粗糙度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励