合肥矽迈微电子科技有限公司张光耀获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥矽迈微电子科技有限公司申请的专利一种高压芯片的封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210223912.X，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权一种高压芯片的封装结构是由张光耀;谭小春设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压芯片的封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供的一种高压芯片的封装结构，包括高压芯片，与所述高压芯片的背面连接的第一铜垫，与第一铜垫连接的第一外引脚，与所述高压芯片的有源面连接的第二外引脚，所述高压芯片与所述第一铜垫之间设有铜薄膜层，所述高压芯片通过所述铜薄膜层与所述第一铜垫连接；设置一包封体，所述高压芯片、第一铜垫、第一外引脚、第二外引脚、铜薄膜层均设置于一包封体内，且所述第一外引脚与所述第二外引脚裸露在所述包封体外表面。
本发明授权一种高压芯片的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种高压芯片的封装结构，其特征在于，包括高压芯片10，与所述高压芯片10的背面连接的第一铜垫20，与第一铜垫20连接的第一外引脚30，与所述高压芯片10的有源面连接的第二外引脚40，所述高压芯片10与所述第一铜垫20之间设有铜薄膜层50，所述高压芯片10通过所述铜薄膜层50与所述第一铜垫20连接；设置一包封体60，所述高压芯片10、第一铜垫20、第一外引脚30、第二外引脚40、铜薄膜层50均设置于一包封体60内，且所述第一外引脚30与所述第二外引脚40裸露在所述包封体60外表面，高压芯片10通过铜薄膜层50压合到第一铜垫20上，所述铜薄膜层50是通过电镀的方式电镀到所述高压芯片10的背面。
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