中国科学院化学研究所江浪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011416333.4，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用是由江浪;郁明;刘洁;朱丹蕾设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用。所述侧向异质绝缘层OFET的制备方法包括如下步骤：在栅极上依次制备无机绝缘层和有机绝缘层；将金膜转移至有机绝缘层上，然后采用氧等离子体进行刻蚀；将未被所述金膜覆盖的有机绝缘层全部刻蚀掉后，转移金膜，得到有机绝缘层无机绝缘层的异质绝缘层；在异质绝缘层上制备有机半导体层，有机半导体层连续地覆盖在异质绝缘层的交界处；在无机绝缘层和所述有机绝缘层上的有机半导体层上制备源漏电极，即得到侧向异质绝缘层OFET。与常规整流器件相比，本发明整流器件所耗原料少，普适性好；无需像PN结整流器挑选相应的相反类型半导体，也无需像肖特基整流器那样选择适配的金属材料。
本发明授权一种侧向异质绝缘层有机场效应晶体管及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种侧向异质绝缘层OFET的制备方法，包括如下步骤： 1在栅极上依次制备无机绝缘层和有机绝缘层； 2将金膜转移至所述有机绝缘层上，然后采用氧等离子体进行刻蚀；将未被所述金膜覆盖的所述有机绝缘层全部刻蚀掉后，转移所述金膜，得到有机绝缘层无机绝缘层的异质绝缘层； 3在所述异质绝缘层上制备有机半导体层，所述有机半导体层连续地覆盖在所述异质绝缘层的交界处； 4在所述无机绝缘层和所述有机绝缘层上的所述有机半导体层上制备源漏电极，即得到侧向异质绝缘层OFET。
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