中国科学院微电子研究所许晓欣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613906B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011413926.5，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权阻变存储器及其制备方法是由许晓欣;李晓燕;董大年;余杰;吕杭炳设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括：阻变层、上电极和势垒结构，阻变层设置于衬底上；上电极设置于阻变层上；势垒结构设置于阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从势垒结构的导带通过，避免阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿。通过在阻变层和上电极之间增加一层非完全配比的氧化层作为势垒结构，在该器件的擦除操作过程中，当施加的擦除电压逐渐增大时，阻变层的导带能级会与该氧化层的导带能级拉平，电子从势垒结构的导带中通过，避免了阻变层中形成过多的缺陷，因此器件不会出现反向击穿，使得器件的耐久性得以进一步提高。
本发明授权阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储器，其特征在于，包括： 阻变层，设置于衬底上，用于在器件执行写入或擦除操作时，使得器件产生高阻态或低阻态； 上电极，设置于所述阻变层上，用于作为器件的一引出电极； 势垒结构，设置于所述阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从所述势垒结构的导带通过，避免所述阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿； 所述势垒结构包括： 势垒层，设置于所述阻变层上，用于在器件执行擦除操作时，作为氧离子的储蓄层，以使得电子从所述势垒层的导带通过； 插层，设置于所述势垒层和所述上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，作为氧离子的辅助储蓄层，以进一步防止氧离子直接进入所述上电极，所述阻变层材料为Ta2O5；所述势垒层材料为TaOx，其中，x∈[1.1,1.8]；所述插层材料为Ta、Ti、金属氧化物、非晶硅、非晶碳、石墨烯中至少一种，其中，所述插层的厚度为2nm-20nm；其中，所述势垒层与阻变层之间的势垒为0.45eV-0.65eV。
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