美光科技公司宁涉洋获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114627934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111490823.3,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力是由宁涉洋;L·米兰达设计研发完成,并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力在说明书摘要公布了:本申请案涉及使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力。存储器装置中的控制逻辑识别对存储器单元执行存储器存取操作的请求。致使对应于第一电压斜坡斜率水平的第一组脉冲在所述存储器存取操作的第一时间间隔期间被施加到所述存储器单元。所述控制逻辑致使对应于第二电压斜坡斜率水平的第二组脉冲在所述存储器存取操作的所述执行的第二时间间隔期间被施加到所述存储器单元,其中所述第一斜率水平与所述第二斜率水平不同。
本发明授权使用受控斜升斜率来管理存储器装置的电介质应力在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,其包括: 存储器阵列,其包括存储器单元;及 控制逻辑,其可操作地与所述存储器阵列耦合,以执行包括以下的操作: 识别对所述存储器单元执行存储器存取操作的请求; 致使对应于第一电压斜坡斜率水平的第一组脉冲在所述存储器存取操作的第一时间间隔期间被施加到所述存储器单元; 监测与所述存储器存取操作相关联的时钟信息以确定已经达到转变时间,其中所述转变时间与所述第一时间间隔的结束相关联;及 响应于确定已经达到所述转变时间,致使对应于第二电压斜坡斜率水平的第二组脉冲在所述存储器存取操作的第二时间间隔期间被施加到所述存储器单元,其中所述第一电压斜坡斜率水平与所述第二电压斜坡斜率水平不同。
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