细美事有限公司孙亨圭获国家专利权
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龙图腾网获悉细美事有限公司申请的专利用于处理基板的支撑单元和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111529819.3，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于处理基板的支撑单元和设备是由孙亨圭;安宗焕;曺在玄;裴珉槿;O·嘉尔斯蒂安;金东奭;金铉珪;李元硕;金成帝设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于处理基板的支撑单元和设备在说明书摘要公布了：提供了一种支撑单元，所述支撑单元被包括在用于使用等离子体来处理基板的设备中并且被配置为支撑所述基板。所述支撑单元可以包括：电源杆，所述电源杆连接到高频电源；电极板，所述电极板被配置为从所述电源杆接收电力；以及接地环，所述接地环设置为当从顶部观察时围绕所述电极板并且包括要接地的接地环。
本发明授权用于处理基板的支撑单元和设备在权利要求书中公布了：1.一种支撑单元，所述支撑单元被包括在用于使用等离子体在处理空间中处理基板的设备中并且被配置为支撑所述基板，所述支撑单元包括： 电源杆，所述电源杆连接到高频电源； 电极板，所述电极板被配置为从所述电源杆接收电力； 接地环，所述接地环设置为当从顶部观察时围绕所述电极板并且包括要接地的接地环；以及 升降构件，所述升降构件被配置为使所述接地环相对于所述电极板在竖直方向上移动， 其中所述升降构件被配置为能够提升所述接地环至第一高度的位置，在所述第一高度处，增大所述接地环暴露于所述处理空间的区域，从而在所述基板的中心区域中产生的等离子体更多地在朝向所述基板的边缘区域的方向上流动，并且 其中所述升降构件被配置为能够降低所述接地环至第二高度的位置，所述第二高度低于所述第一高度，在所述第二高度处，减小所述接地环暴露于所述处理空间的区域，从而在所述基板的中心区域中产生的等离子体更少地在朝向所述基板的边缘区域的方向上流动。
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