联华电子股份有限公司杨晋嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011589292.9，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法是由杨晋嘉;蔡馥郁;林大钧;蔡滨祥设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法，其中该芯片键合对准结构包括:半导体芯片、金属层、蚀刻停止层、至少一个金属凸丘、介电阻障层、硅氧化物层以及碳氮化硅层。金属层位于半导体芯片的键合表面，具有一个金属对准图案。蚀刻停止层覆盖于键合表面和该金属层上。金属凸丘由金属层向上延伸穿过蚀刻停止层，介电阻障层覆盖于蚀刻停止层和金属凸丘上。硅氧化物层覆盖于介电阻障层上。碳氮化硅层覆盖于硅氧化物层上。
本发明授权芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片键合对准结构，其特征在于，包括: 半导体芯片，具有键合表面； 金属层，位于该键合表面，具有金属对准图案； 蚀刻停止层，覆盖于该键合表面和该金属层上； 至少一金属凸丘，由该金属层向上延伸穿过该蚀刻停止层； 介电阻障层，覆盖于该蚀刻停止层和该至少一金属凸丘上； 硅氧化物层，覆盖于该介电阻障层上；以及 碳氮化硅层，覆盖于该硅氧化物层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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