南亚科技股份有限公司蔡宏奇获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110987179.4，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体元件结构的制备方法是由蔡宏奇设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有冠状结构与互连部的下电容器电极的半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构具有一电容器接触点，设置在一半导体基底上；以及一介电层，设置在该电容器接触点上。该半导体元件结构亦具有一图案化遮罩，设置在该介电层上；以及一下电容器电极，设置在该电容器接触点上并电性连接到该电容器接触点。该下电容器电极具有一基层，设置在该电容器接触点与该介电层之间；以及一围绕部，设置在该基层上并沿着该介电层与该图案化遮罩的各侧壁设置。该下电容器电极亦具有一第一互连部，设置在该介电层中且大致平行于该基层。
本发明授权半导体元件结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 形成一电容器接触点在一半导体基底上； 形成一基层在该电容器接触点上； 形成一介电层在该基层上； 执行一第一掺杂制程以形成一第一掺杂区在该介电层中； 蚀刻该介电层以使该介电层的一侧壁对准该第一掺杂区的一侧壁； 在该介电层蚀刻之后，移除该第一掺杂区以形成一第一间隙结构在该介电层中；以及 通过一沉积制程，沿着该介电层的各侧壁形成一围绕部以及形成一第一互连部在该第一间隙结构中，其中，该基层、该围绕部以及该第一互连部共同形成一下电容器电极。
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