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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利具有智能功率级和电子熔断器解决方案的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695319B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538930.9，技术领域涉及：H01L23/62；该发明授权具有智能功率级和电子熔断器解决方案的半导体封装是由普拉巴·乌帕德亚雅设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有智能功率级和电子熔断器解决方案的半导体封装在说明书摘要公布了：一种半导体封装包括一个引线框、一个低压侧金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET、电子熔断器MOSFET、高压侧MOSFET、金属连接、栅极驱动器、电子熔断器IC和成型封装。降压变换器包括智能功率级SPS网络和电子熔断器解决方案网络。SPS网络包括高压侧开关、低压侧开关和栅极驱动器。低压侧开关的漏极经由开关节点耦合到高压侧开关的源极。栅极驱动器耦合到高压侧开关的栅极和低压侧开关的栅极。电子熔断器解决方案网络包括传感电阻器、电子熔断器开关、电子熔断器集成电路IC和SD电路。

本发明授权具有智能功率级和电子熔断器解决方案的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 一个引线框，包括 第一芯片焊盘； 第二芯片焊盘；以及 一个末端焊盘； 一个低压侧MOSFET，被翻转使得低压侧MOSFET的正面电连接并机械连接到第一个芯片焊盘，低压侧MOSFET包括 一个源极电极和一个栅极电极，在低压侧MOSFET的正面；以及 一个漏极电极，在低压侧MOSFET的底面； 一个电子熔断器MOSFET，电连接并机械连接到第二芯片焊盘上，该电子熔断器MOSFET包括 一个源极和一个栅极电极，在电子熔断器MOSFET的正面；以及 一个漏极电极，在电子熔断器MOSFET的底面； 一个高压侧MOSFET，电连接并机械连接到电子熔断器MOSFET，该高压侧MOSFET包括 一个源极和一个栅极电极，在高压侧MOSFET的正面；以及 一个漏极电极，在高压侧MOSFET的底面，高压侧MOSFET的漏极电极电连接并机械连接到电子熔断器MOSFET的源极电极； 一个金属连接，电连接并机械连接到低压侧MOSFET的漏极电极和高压侧MOSFET的源极电极； 一个栅极驱动器IC，通过第一非导电材料连接到电子熔断器MOSFET； 以及 一个电子熔断器IC，通过第二非导电材料连接到栅极驱动器IC,所述电子熔断器IC还包括测量通过高压侧MOSFET的电流的集成电流传感放大器，当通过高压侧MOSFET的电流大于预定值时，电子熔断器IC关闭电子熔断器MOSFET；当高压侧MOSFET短路并且栅极驱动器继续驱动低压侧MOSFET时，流经高压侧MOSFET的电流增加; 一个成型封装，封装低压侧MOSFET、电子熔断器MOSFET、高压侧MOSFET、金属连接、栅极驱动器IC和电子熔断器IC。

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