新唐科技股份有限公司吴祖仪获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114695334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110576446.9,技术领域涉及:H10D80/30;该发明授权封装结构是由吴祖仪;黄尧峰;温文莹设计研发完成,并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种封装结构,包括第一导线架、第二导线架、第三导线架、第一载板、增强型电晶体以及空乏型III‑V族电晶体。第一载板放置于第一导线架上,且与第一导线架电性隔离。增强型电晶体放置于第一载板上,包括耦接至第二导线架的第一闸极端、耦接至第一导线架的第一源极端以及耦接至第一载板的第一汲极端。空乏型III‑V族电晶体放置于第一导线架,包括耦接至第一导线架的第二闸极端、耦接至第一载板的第二源极端以及耦接至第三导线架的第二汲极端。
本发明授权封装结构在权利要求书中公布了:1.一种封装结构,其特征在于,所述封装结构包括: 一第一导线架; 一第二导线架; 一第三导线架; 一第一载板,放置于所述第一导线架上,且所述第一载板与所述第一导线架电性隔离; 一增强型电晶体,放置于所述第一载板上,所述增强型电晶体包括耦接至所述第二导线架的一第一闸极端、耦接至所述第一导线架的一第一源极端以及耦接至所述第一载板的一第一汲极端;以及 一空乏型III-V族电晶体,放置于所述第一导线架,所述空乏型III-V族电晶体包括耦接至所述第一导线架的一第二闸极端、耦接至所述第一载板的一第二源极端以及耦接至所述第三导线架的一第二汲极端。
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