索尼半导体解决方案公司田中裕介获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210310111.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体装置是由田中裕介;永野隆史;若野寿史;松沼健司设计研发完成，并于2016-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置，包括：第一硅层；第二硅层，所述第二硅层接合至所述第一硅层；以及配线层，所述配线层被配置成将所述第一硅层电连接至所述第二硅层，其中，第一中空区域形成在所述配线层中。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一硅层； 第二硅层，所述第二硅层接合至所述第一硅层； 第一配线层，所述第一配线层堆叠在所述第一硅层上；以及 第二配线层，所述第二配线层堆叠在所述第二硅层上， 其中，所述第一配线层中的第一配线连接至连接部分，并且所述第二配线层中的第二配线连接至所述连接部分， 所述第一配线层和所述第二配线层被配置成通过所述连接部分将所述第一硅层电连接至所述第二硅层， 其中，第一中空区域围绕所述第一配线层中的所述连接部分，并且 绝缘膜位于所述第一硅层与所述第一中空区域之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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