西南技术物理研究所黄帅获国家专利权
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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利基于双高Q值模式微腔的共振激发方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111580541.2，技术领域涉及：H01S3/10；该发明授权基于双高Q值模式微腔的共振激发方法是由黄帅;谢修敏;徐强;黄海华;蒋若梅;谭杨;庞树帅;刘期斌;宋海智设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于双高Q值模式微腔的共振激发方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双高Q值模式微腔的共振激发方法，属于光电子器件技术领域。本发明所述共振激发方法由于降低了为共振激发光提供窗口的偏振模式的品质因子，展宽了其光谱线宽，降低了产生交叠的难度，提升了谐振腔制造的宽容度。
本发明授权基于双高Q值模式微腔的共振激发方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双高Q值模式微腔的共振激发方法，其特征在于，包括以下步骤：在包含有量子点的谐振腔禁带中构建两个品质因子为预设Q值的模式，通过适当地改变谐振腔的对称性，令微腔模式产生分裂，使从短波段基本模式分裂出的H模式和从长波段基本模式分裂出的V模式产生交叠，将量子点耦合到非对称的谐振腔中，用V偏振的共振激发光激发与H模式耦合的量子点，通过偏振选择的Purcell效应，促使量子点大概率激发H偏振的单光子，最后用偏振片过滤V偏振的激发光，实现一定的不可分辨性和发射效率； 所述共振激发方法是基于偏振选择的Purcell效应实现，Purcell因子代表谐振腔对量子点自发辐射速率的影响，其公式如下： 其中，Q是微腔的品质因子，V是微腔的模式体积，n、λc、ωc、ω、δω依次是有效折射率、谐振腔的谐振波长、谐振腔的谐振频率、激子跃迁的中心频率及其半峰全宽。
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