国际商业机器公司A·雷茨尼采克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080083203.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元是由A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;安藤崇志;K·巴拉克瑞什那设计研发完成，并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元在说明书摘要公布了：一种单晶体管双电阻器1T2R电阻式随机存取存储器ReRAM结构及用于形成所述结构的方法，包括形成垂直场效应晶体管VFET，所述VFET包括位于沟道区域502上方和介电盖708下方的外延区域810。外延区域810包括由水平延伸超过沟道区域502的平面界定的三角形形状的两个相对的突出区域。在VFET上共形地沉积ReRAM堆叠体。ReRAM堆叠体包括直接位于外延区域810上方的氧化物层1910、直接在氧化物层1910上方的顶部电极层1912和在顶部电极层1912上方的金属填充物1920。外延区域810的两个相对的突出区域中的每个充当ReRAM堆叠体的底部电极。
本发明授权与垂直场效应晶体管集成的电阻式随机存取存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种形成垂直场效应晶体管的方法，包括： 形成从衬底上的掺杂源延伸的沟道区域； 在沟道区域上方形成介电盖； 形成设置在第一间隔体和第二间隔体之间的在沟道区域上并围绕沟道区域的金属栅极材料； 形成与第二间隔体相邻的第一级间介电层； 形成顶部源极漏极区，所述顶部源极漏极区包括位于所述沟道区域上方的外延区域，所述外延区域包括从所述沟道区域向外延伸的两个相对的三角形突出区域，其中介电盖位于所述外延区域的顶表面上方； 在第一级间介电层的顶表面上、第二间隔体的顶表面上、所述外延区域的每个突出区域的顶表面上，以及所述介电盖的侧壁上共形地沉积氧化物层； 在所述氧化物层上共形地沉积顶部电极层；和 在所述顶部电极层上方沉积金属填充物，用于在所述外延区域的每一侧上形成电阻式随机存取存储器元件，其中所述顶部源极漏极区的所述外延区域的所述两个相对的突出区域中的每一个充当所述外延区域的每一侧上的电阻式随机存取存储器元件的底部电极。
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