台湾积体电路制造股份有限公司陈泰佑获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光刻系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114764216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210040022.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻系统和方法是由陈泰佑;刘恒信;陈立锐;简上杰设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻系统和方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了一种光刻系统和方法。光刻系统利用锡滴产生用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极强的紫外线辐射。传感器阵列可感测到极端的紫外线辐射和液滴散发出来的带电粒子。控制系统分析来自传感器的传感器信号，并响应于传感器信号调整等离子体产生参数。
本发明授权光刻系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻系统，包括： 等离子体产生室； 扫描仪，耦合至所述等离子体产生室； 液滴产生器，被配置为将液滴的流输出到所述等离子体产生室中； 激光器，被配置为通过用激光照射在所述等离子体产生室中的所述液滴而从所述液滴产生等离子体； 第一带电粒子捕获盒，位于所述扫描仪内； 电磁透镜，位于所述第一带电粒子捕获盒中； 一个或多个第一带电粒子检测器，位于所述第一带电粒子捕获盒中； 第二带电粒子捕获盒，位于所述扫描仪内； 第一偏转器，位于所述扫描仪内，所述第一偏转器被配置为首先将第一带电粒子偏转到所述第一带电粒子捕获盒中，所述电磁透镜被配置为进一步将所述第一带电粒子偏转到所述一个或多个第一带电粒子检测器； 第二偏转器，位于所述第一偏转器的下游的所述扫描仪内，并且被配置为将第二带电粒子偏转到所述第二带电粒子捕获盒中； 一个或多个光传感器，被配置为检测从所述等离子体发射的极紫外辐射并输出指示所述极紫外辐射的第一传感器信号；以及 控制系统，被配置为接收所述第一传感器信号，分析所述第一传感器信号，并且至少部分地基于所述第一传感器信号来调整等离子体产生参数。
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