天狼芯半导体(成都)有限公司曾健忠获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利垂直结构功率器件、制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210286890.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权垂直结构功率器件、制备方法及电子设备是由曾健忠设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构功率器件、制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种垂直结构功率器件、制备方法及电子设备，垂直结构功率器件包括漏极掺杂层、漂移层、反型超级结、掺杂半导体柱、表面功函数金属、介电层以及源极掺杂层，由较低掺杂的漂移层提高功率器件的反向耐压，然后通过将反型超级结设于漂移层内，改变漂移层内的电场分布，降低通道与漂移层界面的最大电场，避免接入反偏电压时由于高电场引起雪崩效应导致器件可靠性降低的问题。
本发明授权垂直结构功率器件、制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构功率器件，其特征在于，包括： 漏极掺杂层，掺杂有第一类型掺杂离子； 漂移层，设于所述漏极掺杂层上，其中，所述漂移层的掺杂类型与所述漏极掺杂层的掺杂类型相同，且所述漂移层的掺杂浓度小于所述漏极掺杂层的掺杂浓度； 反型超级结，设于所述漂移层内，其中，所述反型超级结掺杂有第二类型掺杂离子； 掺杂半导体柱，设于所述漂移层上，且掺杂有第二类型掺杂离子；相邻的掺杂半导体柱之间的距离相同，反型超级结与掺杂半导体柱之间不接触；多个所述掺杂半导体柱阵列设置于所述漂移层上，且相邻的所述掺杂半导体柱之间设有所述反型超级结； 表面功函数金属，形成于所述掺杂半导体柱的侧面； 介电层，设于所述漂移层上，其中，所述介电层的深度小于所述掺杂半导体柱的高度； 源极掺杂层，设于所述介电层上，并与所述掺杂半导体柱连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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