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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利闪存存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086650.2，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权闪存存储器及其制作方法是由高小娟;任驰设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种闪存存储器及其制作方法，其中该闪存存储器包含一基底，两个栅极结构设置于基底上，各个栅极结构包含一浮置栅极和一控制栅极，控制栅极设置在浮置栅极上，一抹除栅极设置在两个栅极结构之间，两条字符线分别设置在两个栅极结构的一侧，其中各个字符线的上表面各自包含一第一凹面和一尖角，尖角靠近其所在的字符线的一侧壁，侧壁远离各个栅极结构，并且尖角和第一凹面相连。

本发明授权闪存存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存存储器的制作方法，包含： 提供基底，其中两个栅极结构设置于该基底上； 形成导电层顺应地覆盖该两个栅极结构和该基底，其中该导电层包含第一山形轮廓、第二山形轮廓、第一平坦轮廓和第二平坦轮廓，该第一山形轮廓连接该第二山形轮廓，该第一平坦轮廓在该第一山形轮廓的一侧，该第二平坦轮廓在该第二山形轮廓的一侧，该第一山形轮廓和该第二山形轮廓各自覆盖该两个栅极结构的其中之一个，该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓覆盖该基底，该第一山形轮廓和该第二山形轮廓各自包含山顶和两个斜坡； 形成牺牲层顺应地覆盖该导电层； 进行第一各向异性蚀刻制作工艺，以去除位于该第一山形轮廓的该山顶上、该第二山形轮廓的该山顶上以及位于该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓上的该牺牲层，并且保留位于该第一山形轮廓的该两个斜坡上以及该第二山形轮廓的该两个斜坡上的该牺牲层； 在该第一各向异性蚀刻制作工艺之后，进行第二各向异性蚀刻制作工艺蚀刻该导电层以及该牺牲层直到完全移除该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓，使得剩余的该导电层分成三个不相连的导电块，三个导电块分别作为两条字符线和抹除栅极，各该字符线分别位于该抹除栅极的两侧，各该字符线的上表面各自包含凹面和尖角，该尖角位远离该两个栅极结构，并且该尖角和该凹面相连；以及 在移除该第一平坦轮廓和该第二平坦轮廓之后，完全移除剩余的该牺牲层。

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