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龙图腾网获悉华天科技(昆山)电子有限公司申请的专利一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864514B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210639095.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法是由马书英;刘吉康;付东之设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法，该封装结构包括承载片，承载片下表面有金属重布线层，承载片下表面和金属重布线层上有保护膜层，承载片上表面水平设至少两个凹槽结构，其中一个凹槽结构内的芯片感光区域朝下，相邻一个凹槽结构内的芯片正面朝上，芯片上有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层上的开口处有重布线层，第一绝缘介质层和重布线层上有第二绝缘介质层，露出重布线层上的焊盘，焊球通过相适配的焊盘与重布线层相连，芯片通过对应的重布线层与焊球电性连接。本发明将至少两种功能不同的芯片在水平方向有效的集成，获得了超薄封装结构；将带感光功能的芯片信号从正面引出，避免背面开孔，保护芯片并降低工艺难度。

本发明授权一种超薄多种类芯片集成封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄多种类芯片集成封装结构，其特征在于，包括承载片，所述承载片的下表面形成金属重布线层，所述承载片的下表面和金属重布线层上覆盖有保护膜层，所述承载片上表面水平间隔设置两个凹槽结构，分别记为第一凹槽结构和第二凹槽结构，所述承载片上且位于第一凹槽结构两侧分别形成第一导电铜柱和第二导电铜柱，第一凹槽结构内通过导电胶将第一芯片的电极与第一导电铜柱粘合在一起，第一芯片的感光区域朝下放置，第一芯片与第一凹槽结构内壁之间存在间隙并形成第一空隙，第二凹槽结构内通过粘合膜将第二芯片黏贴在其内底部，第二芯片正面朝上放置，第二芯片与第二凹槽结构内壁存在间隙并形成第二空隙，第一芯片的背面上和第二芯片的正面上形成第一绝缘介质层，第一绝缘介质层和重布线层上表面还需要覆盖第二绝缘介质层，第二绝缘介质层上带有导电通孔结构，露出重布线层上的焊盘，每个焊球均通过相适配的焊盘与重布线层相连，芯片的电极通过对应的重布线层与对应的焊球形成电性连接； 所述第一绝缘介质层上有开口，形成第一导电通孔和第二导电通孔，第一导电通孔与承载片上表面的第二导电铜柱位置相适配，第一导电通孔和第二导电通孔内形成重布线层； 所述第一芯片的电极依次通过与其对应的第一导电铜柱、金属重布线层、第二导电铜柱、重布线层与对应的焊球形成电性连接，所述第二芯片的电极通过其对应的重布线层与对应的焊球形成电性连接。

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