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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864593B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210086703.5，技术领域涉及：H10B43/40；该发明授权存储器装置是由武木田秀人设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种芯片大小不受周边电路的大小限制的存储器装置。一实施方式的存储器装置具备：第1芯片；及第2芯片，设置在所述第1芯片上，且以与所述第1芯片相接的方式贴合。所述第1芯片包含：第1周边电路，设置在第1半导体衬底上；第1存储单元阵列，设置在所述第1周边电路的上方；及第1电极，设置在所述第1存储单元阵列的上方；所述第2芯片包含：第2电极，与所述第1电极相接；第2存储单元阵列，设置在所述第2电极的上方；第2周边电路，设置在所述第2存储单元阵列的上方；第2半导体衬底，设置在所述第2周边电路的上方；及焊垫，设置在所述第2周边电路的上方，能够从存储器控制器接收指令与地址。所述第1周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意一个或者两个，所述第2周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意另一个或者两个。

本发明授权存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于具备： 第1芯片；以及 第2芯片，设置在所述第1芯片上，并且以与所述第1芯片相接的方式贴合； 所述第1芯片包括： 第1半导体衬底； 第1周边电路，设置在所述第1半导体衬底上； 第1存储单元阵列，设置在所述第1周边电路的上方；以及 第1电极，设置在所述第1存储单元阵列的上方； 所述第2芯片包括： 第2电极，与所述第1电极相接； 第2存储单元阵列，设置在所述第2电极的上方； 第2周边电路，设置在所述第2存储单元阵列的上方； 第2半导体衬底，设置在所述第2周边电路的上方；以及 焊垫，设置在所述第2周边电路的上方，能够从存储器控制器接收指令与地址； 所述第1周边电路基于从所述焊垫输入的指令以及地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意一方或双方，并且 所述第2周边电路基于从所述焊垫输入的指令与地址，控制所述第1存储单元阵列或所述第2存储单元阵列中的任意另一方或双方。

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