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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114879445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110160775.5，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由王良设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近矫正方法包括：提供设计图形，所述设计图形中相邻图形的拐角相对，且具有相交的单点；对所述设计图形进行预修正处理，用于在所述设计图形靠近单点的拐角处提供补偿图形，所述补偿图形和所述设计图形用于构成伪目标图形；以所述设计图形为目标图形，对所述伪目标图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形。本发明实施例有利于改善曝光时在靠近单点的拐角处的光强分布、提高光学邻近效应修正的效果，并有利于改善在靠近单点的拐角处的拐角圆化问题，进而有利于减小模拟曝光图形与目标图形之间的边缘放置误差EdgePlacementError，提升了形成于晶圆上的掩膜图形与目标图形之间的匹配度。

本发明授权光学邻近矫正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近矫正方法，其特征在于，包括： 提供设计图形，所述设计图形中相邻图形的拐角相对，且具有相交的单点； 在提供设计图形后，对所述设计图形进行刻蚀偏差补偿处理，用于基于刻蚀偏移量对所述设计图形的关键尺寸进行补偿；对所述设计图形进行刻蚀偏差补偿处理的步骤包括：沿着垂直于设计图形边缘的方向，将所述设计图形的边缘向外移动预设距离，增大靠近单点处相邻两个设计图形边缘之间的重合距离； 对所述刻蚀偏差补偿处理后的设计图形进行预修正处理，用于在所述刻蚀偏差补偿处理后的设计图形靠近单点的拐角处提供补偿图形，所述补偿图形增大靠近单点处相邻图形边缘之间的重合距离；所述补偿图形和所述刻蚀偏差补偿处理后的设计图形用于构成伪目标图形； 以所述设计图形为目标图形，对所述伪目标图形进行光学邻近效应修正处理，获得修正后图形；在光学邻近效应修正处理中，所述补偿图形在靠近单点的内拐角处为图形的边缘向内推进提供余量；在对伪目标图形进行光学邻近效应修正处理后，与补偿图形对应的修正后图形沿第一方向的线段，相对于修正后图形沿第一方向的剩余线段朝远离单点的方向缩进，在靠近单点的位置处，形成桥结构。

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