万国半导体国际有限合伙公司大卫·谢里登获国家专利权
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龙图腾网获悉万国半导体国际有限合伙公司申请的专利具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210103428.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET是由大卫·谢里登;阿拉什·萨莱米;马督尔·博德设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法。碳化硅MOSFET包括一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底和一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅外延层。在碳化硅外延层中形成与第一导电类型相对的第二导电类型的本体区域，并且在本体区域中形成第一导电类型的积累模式区域，并且在本体区域中形成第二导电类型的反转模式区域。积累模式区位于碳化硅外延层的反转模式区和结型场效应晶体管JFET区之间。
本发明授权具有缩短沟道长度和高Vth的SiC MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET，包括： 一个重掺杂第一导电类型的碳化硅衬底； 一个轻掺杂第一导电类型的碳化硅外延层，该碳化硅外延层具有一个第一导电类型的结型场效应管JFET区； 一个掺杂第二导电类型的本体区，形成在碳化硅外延层中，其中第二导电类型与第一导电类型相反； 一个掺杂第一导电类型的积累模式区，形成在本体区中，以及一个第二导电类型的反转模式区，形成在本体区中，其中积累模式区位于JFET区和反转模式区之间； 一掺杂第一导电类型的源极区，从碳化硅外延层的表面至深度超过所述反转模式区的底部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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