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龙图腾网获悉吉林华微电子股份有限公司申请的专利绝缘栅双极型晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210719266.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权绝缘栅双极型晶体管及其制作方法是由滕跃;孙喆禹;曹务臣;迟永欣;耿智蔷;肖楠设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体功率器件及制造领域。为有效降低导通压降，N型电荷存储层中空穴浓度会显著上升，这会导致绝缘栅双极型晶体管在反向阻断时N型电荷存储层内的场强会指数级上升，集电极‑发射极反向阻断电压下降。本实施例中，取消一部分导电沟道使用第一P+区代替，第一P+区的引入可使N型电荷存储层内的场强下降并与N‑漂移区共同分担上升的场强。但第一P+区的引入会降低N型电荷存储层的电导调制效果，故在第一P+区内沿沟槽的延伸方向重复排列的N+拦截区、沟槽拦截区及空穴抽取区，对关键载流子空穴的抽取速率进行人为调节，可同时解决饱和压降、反向截止电压、短路特性及开关速度的平衡问题。

本发明授权绝缘栅双极型晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管包括多个立体分布的单胞结构，所述单胞结构包括： 依次层叠设置的N-漂移区、N型电荷存储层、P型半导体区、第一P+区、第二P+区及发射区金属层，其中，所述第一P+区的结深大于所述第二P+区的结深； 所述单胞结构还包括栅区及源区，所述栅区包括多个由P型半导体区向所述N-漂移区方向延伸的沟槽、位于沟槽表面的栅氧化层、位于所述栅氧化层表面的多晶硅栅及栅源隔离区，所述栅区与所述源区通过所述栅源隔离区隔离，所述发射区金属层覆盖在所述栅源隔离区及所述P型半导体区上； 所述第一P+区位于所述栅区的相邻沟槽之间，所述第二P+区位于所述栅区与所述源区之间； 所述单胞结构还包括设置在所述栅区中第一P+区的N+拦截区、沟槽拦截区及空穴抽取区，其中，所述单胞结构中包括多个所述的N+拦截区及沟槽拦截区的重复结构，所述第一P+区用于同所述N型电荷存储层和所述N-漂移区分担场强，所述N+拦截区、所述沟槽拦截区及所述空穴抽取区用于调节空穴的抽取速率。

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