长江存储科技有限责任公司王猛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种存储结构及其制备方法、存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210687036.6，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种存储结构及其制备方法、存储器及存储系统是由王猛;姚森;李拓设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储结构及其制备方法、存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种存储结构及其制备方法、存储器及存储系统，该制备方法包括：形成堆叠层，堆叠层包括子堆叠层，子堆叠层包括层间牺牲层、以及位于层间牺牲层上的第一导体层；形成台阶结构、以及覆盖台阶结构的绝缘介质层，台阶结构的每级台阶对应至少一个子堆叠层；在各级台阶处形成贯穿堆叠层和绝缘介质层的接触孔，并在接触孔内填充牺牲材料；将层间牺牲层置换为第二导体层；去除接触孔内的牺牲材料，并通过外延生长，在接触孔中对应于第一导体层的部位形成着陆层；在接触孔内于距离绝缘介质层最近的着陆层上填充导电接触结构，从而无需依赖深孔刻蚀工艺的高精度控制即可制作合适长度的导电接触结构，降低了对深孔刻蚀工艺的精度要求。
本发明授权一种存储结构及其制备方法、存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成堆叠层，所述堆叠层包括多个层叠设置的子堆叠层，所述子堆叠层包括层间牺牲层、以及位于所述层间牺牲层上的第一导体层； 基于所述堆叠层形成台阶结构、以及覆盖所述台阶结构的绝缘介质层，所述台阶结构包括多级台阶，每级所述台阶对应至少一个所述子堆叠层； 在各级所述台阶处形成贯穿所述堆叠层和所述绝缘介质层的接触孔，并在所述接触孔内填充牺牲材料； 将所述层间牺牲层置换为第二导体层； 去除所述接触孔内的所述牺牲材料，并通过外延生长，在所述接触孔中对应于所述第一导体层的部位形成着陆层； 在所述接触孔内于距离所述绝缘介质层最近的所述着陆层上填充导电接触结构，所述导电接触结构与距离所述绝缘介质层最近的所述着陆层电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励