福建省长汀金龙稀土有限公司汤志辉获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省长汀金龙稀土有限公司申请的专利一种钕铁硼磁体及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115083708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110262716.9,技术领域涉及:H01F1/057;该发明授权一种钕铁硼磁体及其制备方法是由汤志辉;黄佳莹;韦兴;李志刚;许德钦;陈大崑设计研发完成,并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钕铁硼磁体及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法。该钕铁硼磁体包含主相晶粒及其壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相;所述主相晶粒包含Nd2Fe14B;或者,所述主相晶粒包含Nd2Fe14B和Pr2Fe14B;所述壳层包含NdDy2Fe14B和或NdTb2Fe14B;所述壳层的厚度为0.1~6μm;所述富Nd相中包含R6Fe13B相,所述R为Nd、Pr、Dy和Tb中的一种或多种。本发明的方法有效减少了重稀土元素往主相中的扩散量,形成更薄的重稀土壳层,且能进一步优化提升磁体的高温性能。
本发明授权一种钕铁硼磁体及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种钕铁硼磁体,其特征在于,其包含主相晶粒及其壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相; 所述主相晶粒包含Nd2Fe14B;或者,所述主相晶粒包含NdFe14B和PrFe14B; 所述壳层包含NdDyFe14B和或NdTbFe14B; 所述壳层的厚度为0.1~6μm; 所述富Nd相中包含RFe13B相,所述R为Nd、Pr、Dy和Tb中的一种或多种; 所述钕铁硼磁体的制备方法包括下述步骤: S1.分别制备得到主合金片和辅合金片;所述主合金片由所述主合金片的原料经熔炼、铸造后制得;所述辅合金片由所述辅合金片的原料经熔炼、铸造后制得; 所述辅合金片的制备方法中,所述辅合金片的原料的熔炼温度为1500~1550℃,所述铸造的浇铸的温度为1500~1550℃,所述铸造的铜辊的转速为35~55rmpmin; 所述主合金片的质量占所述主合金片和所述辅合金片质量总量的质量百分比为82%-95%; 所述主合金片的原料包含:LH、RH、X、Y、Fe和B;所述LH为Nd或PrNd合金;所述RH为Tb、Dy、Ho和Gd中的一种或多种,所述X为Ti、Zr和Nb中的一种或多种,所述Y为Al、Cu、Ga和Co中的一种或多种; 所述主合金片的原料中,所述LH占所述主合金片的质量百分比为25~27.5%,所述RH占所述主合金片的质量百分比为0~10%,所述X占所述主合金片的质量百分比为0.05~0.6%,所述Y占所述主合金片的质量百分比为0.05~3.5%;所述主合金片中各元素的质量百分比之和为100%; 所述辅合金片的原料包含:RH、X和Fe;所述RH为Tb和或Dy,所述X2为Ti、Zr和Nb中的一种或多种; 所述辅合金片的原料中,所述RH2占所述辅合金片的质量百分比为10~85%,所述X2占所述辅合金片的质量百分比为0~8%;所述辅合金片中各元素的质量百分比之和为100%; S2.将所述主合金片和所述辅合金片经氢破碎或微粉碎的混合物进行取向压制、等静压处理和烧结处理,即得所述钕铁硼磁体。
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