西安电子科技大学宁静获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210645314.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法是由宁静;吴晶晶;王东;张进成;赵江林;张弛;曾瑜;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件，主要解决了现有GaN‑HEMT器件击穿电压低的问题。其包括：衬底、本征GaN缓冲层、电流孔径、GaN沟道层、AlN层、AlGaN势垒层、P‑GaN帽层、源栅电极及钝化层；该本征GaN缓冲层与电流孔径之间，垂直设有两种不同掺杂浓度的第一P型GaN层和第二P型GaN层，以分别与本征GaN缓冲层形成PN结；该衬底与本征GaN缓冲层之间，垂直设有二维材料层、第一AlN层、第二AlN层和掺铁的GaN层；该二维材料层、第一AlN层、第二AlN层及衬底的中间开有通孔，孔内蒸镀有金属形成漏极。本发明减小了导通电阻，提高了击穿电压，可用于电力电子系统。
本发明授权基于范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种范德华外延的氮化镓高电子迁移率晶体管器件器件，自下而上包括：衬底15、本征GaN缓冲层7、电流孔径10、GaN沟道层11、AlN层12、AlGaN势垒层13、P-GaN帽层14和栅极18，其特征在于： 所述衬底15与所述本征GaN缓冲层7，二者之间自下而上设有二维材料层3、第一AlN层4、第二AlN层5和掺铁的GaN层6； 所述衬底15、二维材料层3、第一AlN层4、第二AlN层5的中间开有通孔，孔内蒸镀有金属形成漏极16； 所述在本征GaN缓冲层7与电流孔径10之间，垂直设有两种不同掺杂浓度的第一P型GaN层8和第二P型GaN层9，以分别与本征GaN缓冲层7形成PN结，提高耐压特性。
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