镭昱光电科技(苏州)有限公司胡双元获国家专利权
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龙图腾网获悉镭昱光电科技(苏州)有限公司申请的专利微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115101634B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210618918.7,技术领域涉及:H10H29/01;该发明授权微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法是由胡双元;庄永漳设计研发完成,并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法,该方法包括:提供一外延衬底,外延衬底上具有LED外延功能层,所述LED外延功能层包括依次设置于所述外延衬底表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层;在LED外延功能层上形成应力释放槽;提供一驱动基板,驱动基板包括多个所述的驱动芯片,该多个驱动芯片之间定义有划片道,将应力释放槽和划片道对准后进行金属键合;剥离外延衬底并露出所述应力释放槽。本发明在键合之前,通过对LED外延功能层进行图案化,能够大幅降低晶圆键合所造成的翘曲问题,大幅提升了生产良率,可制造性,以及器件可靠性。
本发明授权微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种微型发光二极管显示装置的制作方法,其特征在于,包括: 提供一外延衬底,所述外延衬底上具有LED外延功能层,所述LED外延功能层包括依次设置于所述外延衬底表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层; 在所述LED外延功能层上形成应力释放槽,所述应力释放槽自所述第二半导体层背离所述发光层的表面延伸至所述第一半导体层的一定深度,或延伸至所述外延衬底的表面; 提供一驱动基板,所述驱动基板包括多个驱动芯片,该多个驱动芯片之间定义有划片道,将所述的应力释放槽和划片道对准后进行金属键合,所述应力释放槽的宽度小于所述划片道的宽度; 剥离所述外延衬底并露出所述应力释放槽; 通过离子注入材料或刻蚀凹槽的方法将所述LED外延功能层分隔形成多个阵列排布的LED单元,驱动芯片具有多个触点,每个所述LED单元能够独立的被一所述触点驱动; 所述触点位于相邻的LED单元之间,刻蚀所述LED外延功能层形成阵列分布的多个通孔,每一通孔对应一个所述触点,所述通孔的底部暴露所述触点; 在所述第一半导体层上形成钝化层,所述钝化层上开设有暴露所述第一半导体层的第一开口以及暴露所述触点的第二开口; 以及 在所述钝化层上形成电极层,所述电极层通过所述第一开口与第一半导体层电连接并通过所述第二开口与所述触点电连接。
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