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东莞新科技术研究开发有限公司张涛杰获国家专利权

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龙图腾网获悉东莞新科技术研究开发有限公司申请的专利半导体加工的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115106923B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110300235.2,技术领域涉及:B24B37/04;该发明授权半导体加工的方法是由张涛杰设计研发完成,并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体加工的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体加工的方法,通过将半导体放到研磨盘进行第一次减薄处理,使半导体的基体减薄预设厚度;其中,第一次减薄处理中的研磨盘上的金刚石颗粒的粒径为450‑550μm;并将半导体放到研磨盘进行第二次减薄处理,使半导体的基体高于半导体的镍铁部分0.25‑0.3μm;其中,第二次减薄处理中的研磨盘上的金刚石颗粒的粒径为4‑6nm,并且,在第二次减薄处理中,采用激光束对半导体的镍铁部分进行照射,以使半导体的镍铁部分受热突出于半导体的基体顶面,因而研磨时,半导体的镍铁部分成为主要被研磨的部分,而半导体的基体表面则没有承受太多研磨,从而有针对性地进行研磨,使半导体的镍铁部分无论在高度变化和抛光精度均能很容易达到要求。

本发明授权半导体加工的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体加工的方法,其特征在于,包括: 将半导体放到研磨盘进行第一次减薄处理,使半导体的基体减薄预设厚度;其中,第一次减薄处理中的研磨盘上的金刚石颗粒的粒径为450-550μm; 将半导体放到研磨盘进行第二次减薄处理,使半导体的基体高于半导体的镍铁部分0.25-0.3μm;其中,第二次减薄处理中的研磨盘上的金刚石颗粒的粒径为4-6nm,并且,在第二次减薄处理中,采用激光束对半导体的镍铁部分进行照射,以使半导体的镍铁部分受热突出于半导体的基体顶面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东莞新科技术研究开发有限公司,其通讯地址为:523087 广东省东莞市南城区宏远工业区;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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