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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842431.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由小林仁;矶部康裕;洪洪设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：实施方式提供可靠性出色的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有元件区域和元件分离区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；第一电极，设置在第一绝缘膜上，并沿第一方向延伸；第二电极，设置在半导体层上，在与第一方向交叉的第二方向上排列并沿第一方向延伸；第三电极，设置在半导体层上，在第二方向上排列并沿第一方向延伸；第二绝缘膜，设置在第一绝缘膜与半导体层之间，沿第二方向夹着第三电极；第一场板电极，设置在第一电极上，与第一电极连接；第二场板电极，设置在第一场板电极上，与第二电极连接；以及第三场板电极，设置在第三电极上，与第三电极连接。第二绝缘膜从元件分离区域上延伸至元件区域上的一部分。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体层，具有元件区域和元件分离区域； 第一绝缘膜，设置在所述半导体层上； 第一电极，设置在所述第一绝缘膜上，并沿第一方向延伸； 第二电极，设置在所述半导体层上，在与所述第一方向交叉的第二方向上排列并沿所述第一方向延伸； 第三电极，设置在所述半导体层上，在所述第二方向上排列并沿所述第一方向延伸； 第二绝缘膜，设置在所述第一绝缘膜与所述半导体层之间，在所述第二方向上夹着所述第三电极； 第一场板电极，设置在所述第一电极上，与所述第一电极连接； 第二场板电极，设置在所述第一场板电极上，与所述第二电极连接；以及 第三场板电极，设置在所述第三电极上，与所述第三电极连接， 所述第二绝缘膜从所述元件分离区域上延伸到所述元件区域上的一部分， 所述第二绝缘膜具有与所述第三电极相接的侧面， 所述第二绝缘膜的与所述第三电极相接的侧面的相反侧的侧面在所述第二方向上位于所述第二场板电极与所述第三场板电极之间， 所述第二绝缘膜的与所述第三电极相接的侧面的相反侧的侧面在所述第二方向上位于从所述第三场板电极的所述第二场板电极侧的面起朝向所述第二场板电极的0.1μm以上20μm以下的场所。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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