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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种氮化镓基外延片及其制备方法与功率射频器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210749296.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓基外延片及其制备方法与功率射频器件是由游正璋;方照诒;黄博崇设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基外延片及其制备方法与功率射频器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化镓基外延片及其制备方法与功率射频器件，所述氮化镓基外延片包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层、漂移层、位障层和盖帽层；所述位障层包括单层和或复合层；所述位障层中的半导体材料包括AlN、AlxInyN或InyAl1‑xGa1‑x‑yN中的任意一种或至少两种的组合，其中0.1≤x≤1,0≤y≤1。本发明提供的氮化镓基外延片通过生长位障层，在异质结构中使禁带宽度中的异带偏移更大，消除了层间因晶格常数不同产生的位错，减缓了压电极化电场导致二维电子气中面密度减少，提升了HEMT器件中的栅极不断缩小产生短沟道效应，提升了器件开关切换速度，提升了器件的电特性。

本发明授权一种氮化镓基外延片及其制备方法与功率射频器件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基外延片，其特征在于，所述氮化镓基外延片包括层叠设置的衬底、缓冲层、应力调节层、漂移层、位障层和盖帽层；所述应力调节层中的半导体材料包括AlN、GaN、AlGaN、AlGa1-aN、InAlGa1-b-cN或AlInGaN中的任意一种或至少两种的组合，其中0＜a＜1,0＜b＜1,0＜c＜1；所述应力调节层还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括碳、铍、镁或铁中的任意一种或至少两种的组合；所述应力调节层的厚度为0.1～25μm； 所述缓冲层包括AlN和掺杂材料，所述掺杂材料包括碳、铍、镁或铁中的任意一种或至少两种的组合； 所述漂移层包括GaN，所述漂移层还包括掺杂材料，所述掺杂材料包括碳、铍、镁或铁中的任意一种或至少两种的组合； 所述位障层为单层，半导体材料包括AlInN、AlN或InAlGaN中的任意一种或至少两种的组合；或者，所述位障层为复合层结构，半导体材料包括AlN、AlInN或InAl1-xGa1-x-yN中的任意一种或至少两种的组合，其中0.1≤x≤1,0≤y≤1；位障层的厚度在0.1～200nm范围内； 所述位障层用于消除漂移层与应力调节层间因差异晶格常数不同而产生的位错，并且减缓压电极化电场而导致二维电子气中的面密度减少； 所述衬底包括Al、GaN、AlN、GaO、Si或SiC中的任意一种。

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