上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司郭奥获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利阻变存储单元及存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210771384.1，技术领域涉及：G11C11/402；该发明授权阻变存储单元及存储阵列是由郭奥设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变存储单元及存储阵列在说明书摘要公布了：本发明提供了一种阻变存储单元及存储阵列，包括：第一阻变元件、第二阻变元件及MOS晶体管；其中，MOS晶体管为可双向导通的晶体管，MOS晶体管的栅极连接字线，MOS晶体管的第一端连接第一源线及第一阻变元件的第二端，MOS晶体管的第二端连接第二源线及第二阻变元件的第二端；第一阻变元件的第一端连接第一位线，第二阻变元件的第一端连接第二位线，阻变存储单元被配置为，第一阻变元件及第二阻变元件同时至多有一个被选中。本发明中，通过提供一种1T2R的阻变存储单元，相较于1T1R，不仅可提高存储密度，而且还具有结构简单便于实现的优点。
本发明授权阻变存储单元及存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种阻变存储单元，其特征在于，所述阻变存储单元连接有字线、第一位线、第二位线、第一源线及第二源线，所述阻变存储单元包括： 具有第一端和第二端的第一阻变元件； 具有第一端和第二端的第二阻变元件；以及， 具有栅极、第一端和第二端的MOS晶体管； 其中，所述MOS晶体管为可双向导通的晶体管，所述第一阻变元件及所述第二阻变元件位于所述MOS晶体管的上方，所述MOS晶体管的栅极连接所述字线，所述MOS晶体管的第一端连接所述第一源线，所述MOS晶体管的第二端连接所述第二源线；所述第一阻变元件的第一端连接所述第一位线，所述第一阻变元件的第二端连接所述第二源线；所述第二阻变元件的第一端连接所述第二位线，所述第二阻变元件的第二端连接所述第一源线； 所述阻变存储单元被配置为，所述第一阻变元件及所述第二阻变元件同时至多有一个被选中，其中，所述第二源线处于悬空状态，所述第二位线与所述第一源线具有相同电位，且所述字线处于开启状态以选中所述第一阻变元件。
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