松下知识产权经营株式会社赛夫拉·巴达尔获国家专利权
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龙图腾网获悉松下知识产权经营株式会社申请的专利二次电池用负极和其制造方法以及二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115152049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180016886.7，技术领域涉及：H01M4/13；该发明授权二次电池用负极和其制造方法以及二次电池是由赛夫拉·巴达尔;辻田卓司;浅香圭亮;铃木扩哲;坂田基浩设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本二次电池用负极和其制造方法以及二次电池在说明书摘要公布了：一种二次电池用负极，其包含负极合剂层，所述负极合剂层具有负极活性物质、覆盖负极活性物质表面的至少一部分的第1层和覆盖第1层表面的至少一部分的第2层，第1层包含碳材料，第2层包含有机硅。
本发明授权二次电池用负极和其制造方法以及二次电池在权利要求书中公布了：1.一种二次电池用负极，其包含负极合剂层，所述负极合剂层具有负极活性物质、覆盖所述负极活性物质表面的至少一部分的第1层和覆盖所述第1层表面的至少一部分的第2层， 所述负极活性物质包含含Si材料， 所述负极合剂层中所含的所述含Si材料的含量为1质量％～30质量％， 所述含Si材料包含锂离子导电相、和分散于所述锂离子导电相的Si颗粒， 所述锂离子导电相为选自由硅氧化物相、硅酸盐相和碳相组成的组中的至少1种， 所述第1层包含第1碳材料，所述第1碳材料为无定形碳， 所述第2层包含有机硅， 用{R1aSiO4-a2}c表示所述有机硅时， R1为碳数1～8的取代或非取代的有机基团， 所述R1包含选自由烷基、乙烯基、烷氧基、芳基、芳氧基、酮基、羧基和酯基组成的组中的至少1种， a为满足0≤a≤2的有理数， c为满足1≤c的整数， 所述有机硅具有二氧结构R2SiO2单元、和三氧结构RSiO3单元， 所述有机硅的分子中所含的RSiO3单元相对于R2SiO2单元之比：RSiO3单元R2SiO2单元为0.15以上。
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