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龙图腾网获悉深圳元点真空装备有限公司申请的专利一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115171796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210648330.6，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备是由吴忠振;崔岁寒;陈秋浩设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备在说明书摘要公布了：本发明涉及等离子体放电物理技术领域，具体是涉及一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备。本发明在仿真刻蚀的过程中考虑了因刻蚀形貌变化而导致的等离子体放电状态的变化，及其对刻蚀形貌的反作用，并将溅射离子组分和背景温度作为计算刻蚀模型的因素，因此提高了刻蚀模型的精度，另外由于本发明考虑了溅射离子组分和背景温度分布的影响，使得本发明能够适用于新一代高功率、高离化的磁控溅射技术，可以实现高功率放电、复杂磁场、大深度刻蚀等条件下的等离子体放电特性和阴极刻蚀行为的精确仿真。

本发明授权一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法、装置、设备在权利要求书中公布了：1.一种磁控溅射阴极动态刻蚀模型的构建方法，其特征在于，包括： 计算磁控溅射阴极表面的溅射离子组分比； 构建等离子体的放电模型并仿真所述磁控溅射阴极的放电特性，得到放电区域内等离子体密度分布、空间电势分布，所述等离子体由电子和离子组成，所述等离子体密度分布、所述空间电势分布、所述磁控溅射所在的磁场分布为所述磁控溅射阴极达到稳态放电下的所述等离子体密度分布、所述空间电势分布、所述磁场分布； 依据所述溅射离子组分比、所述等离子体密度分布、所述空间电势分布、所述磁控溅射阴极的磁场分布、所述放电区域内的背景温度分布，得到磁控溅射阴极靶面的刻蚀量； 依据所述刻蚀量、初始的所述磁控溅射阴极的刻蚀模型，得到所述磁控溅射阴极新的刻蚀形貌； 依据新的所述刻蚀形貌，重新计算所述等离子体的放电特性，并再次依此更新所述磁控溅射阴极的刻蚀形貌，反复迭代，形成动态刻蚀模型，得到每一轮刻蚀仿真之后的所述刻蚀形貌； 所述背景温度分布的建立包括： 当所述磁控溅射的实际放电时的实际放电功率密度大于等于设定功率密度时，对所述实际放电功率密度应用等离子体传热模型，建立所述背景温度分布； 或者，当所述磁控溅射的实际放电时的实际放电功率密度小于设定功率密度时，以常温建立背景温度分布； 依据所述刻蚀量、初始的所述磁控溅射阴极的刻蚀模型，得到所述磁控溅射阴极新的所述刻蚀形貌，包括： 将所述磁控溅射阴极靶面的仿真区域划分为空元胞和固态元胞，所述空元胞与所述磁控溅射阴极靶面的放电区域相对应，所述固态元胞与所述磁控溅射阴极靶面的非放电区域相对应； 对所述空元胞设置填充值，所述填充值为所述空元胞内用于被溅射的原子与总原子的比例，所述原子为所述磁控溅射阴极的靶材材料的原子； 对所述固态元胞设置初始填充值； 依据所述刻蚀量，得到所述空元胞和固态元胞内被刻蚀的原子比例； 依据被刻蚀的原子比例和对所述空元胞设置的填充值，得到所述空元胞的剩余填充值； 当所述空元胞的剩余填充值小于所述原子比例时，继续刻蚀所述空元胞和固态元胞，直至所述空元胞的剩余填充值大于所述原子比例，完成一轮仿真刻蚀，得到一轮仿真刻蚀结束之后的所述空元胞的剩余填充值； 根据所述固态元胞内被刻蚀的原子比例和所述固态元胞的初始填充值，得到所述固态元胞的剩余填充值； 依据所述固态元胞的剩余填充值和刻蚀结束之后的所述空元胞的剩余填充值，得到所述磁控溅射阴极靶面一轮仿真刻蚀之后的刻蚀形貌； 依据所述磁控溅射阴极靶面一轮仿真刻蚀之后的刻蚀形貌，得到所述磁控溅射阴极新的所述刻蚀形貌。

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