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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188815B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110842710.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由吉冈启;洪洪;矶部康裕;杉山亨;小林仁设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供降低了输出电容的半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于基板上；第二氮化物半导体层，设置于第一氮化物半导体层的上方，带隙比第一氮化物半导体层大；第一布线，设置于第二氮化物半导体层的上方，沿第一方向延伸；第一源极电极及第一栅极电极，设置于第二氮化物半导体层的上方并沿第二方向延伸，第一源极电极与第一布线电连接；及第一漏极电极，具有：沿第二方向延伸的第一至第三漏极布线及第一元件分离区域，在第三漏极布线上设置有包括第一孔、与第一孔相比距第三漏极布线的前端远的第二孔和与第二孔相比距第三漏极布线的前端远的第三孔的第一多个孔，第一孔与第二孔的第一距离比第二孔与第三孔的第二距离短。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备：基板；第一氮化物半导体层，设置于所述基板上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层的上方，与所述第一氮化物半导体层相比带隙大；第一布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿与所述基板的基板面平行的第一方向延伸；第一源极电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，与所述第一布线电连接，沿与所述基板面平行且与第一方向交叉的第二方向延伸；第一栅极电极，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；以及第一漏极电极，具有：第一漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；第二漏极布线，设置于所述第二氮化物半导体层的上方，沿所述第二方向延伸；第一元件分离区域，设置于所述第一漏极布线与所述第二漏极布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；和第三漏极布线，设置于所述第一漏极布线及所述第二漏极布线的上方，沿所述第二方向延伸，在第三漏极布线上设置有第一多个孔，该第一多个孔包括：第一孔、与所述第一孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第二孔和与所述第二孔相比距所述第三漏极布线的前端远的第三孔，所述第一方向上的所述第一孔与所述第二孔之间的第一距离比所述第一方向上的所述第二孔与所述第三孔之间的第二距离短。

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