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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110685525.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体器件是由李依珊;潘钦寒;颜擎设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，包括：衬底；第一深阱，设置于该衬底中；第一阱，设置于该第一深阱中；第二阱，设置于该衬底中，与该第一阱以非零距离相邻；第三阱，设置于该衬底中，该第二阱设置于该第一阱与该第三阱之间；第四阱，设置于该衬底中；源极区与漏极区，分别设置于该第四阱与该第一阱中；基体区，设置于该第三阱中；栅极结构，设置于该源极区与该漏极区之间的该衬底上；第一隔离结构，设置于该栅极结构与该漏极区之间的该第一深阱上；第二隔离结构，设置于该栅极结构与该源极区之间的该第四阱上；以及顶掺杂区，设置于该第一隔离结构下方的该第一深阱中。本发明可降低栅极结构的边缘与源极区之间的电场，提升击穿电压。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电型； 第一深阱，具有第二导电型且设置于所述衬底中； 第一阱，具有所述第二导电型且设置于所述第一深阱中； 第二阱，具有所述第一导电型且设置于所述衬底中，与所述第一阱以非零距离相邻； 第三阱，具有所述第一导电型且设置于所述衬底中，其中所述第二阱设置于所述第一阱与所述第三阱之间； 第四阱，具有所述第二导电型且设置于所述衬底中，设置于所述第二阱与所述第三阱之间且与所述第二阱与所述第三阱邻接； 源极区与漏极区，具有所述第二导电型，所述漏极区设置于所述第一阱中，所述源极区设置于所述第四阱中； 基体区，具有所述第一导电型，设置于所述第三阱中； 栅极结构，设置于所述源极区与所述漏极区之间的所述第四阱、所述第二阱、所述衬底以及所述第一深阱上； 第一隔离结构，设置于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述第一深阱上； 第二隔离结构，设置于所述栅极结构与所述源极区之间的所述第四阱上，其中所述栅极结构覆盖部分的所述第一隔离结构并延伸至覆盖部分的所述第二隔离结构； 顶掺杂区，设置于所述第一隔离结构下方的所述第一深阱中且具有所述第一导电型；以及 第二深阱，具有所述第二导电型且设置于所述衬底中，与所述第一深阱以非零距离相邻，其中所述第二阱、所述第三阱与所述第四阱设置于所述第二深阱中， 所述第二深阱与所述第二阱、所述第三阱、所述第四阱的底部接触。

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